FDS4685

onsemi

FDS4685

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOIC

В производстве8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs27mOhm @ 8.2A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1872 pF @ 20 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияPowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8.2A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность2.5W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус производителя8-SOIC

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)