FDS3890

onsemi

FDS3890

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8SOIC

В производстве8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs44mOhm @ 4.7A, 10V
Базовый Part NumberFDS38
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs35nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1180pF @ 40V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияPowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.7A
Power - Max900mW

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус производителя8-SOIC

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)