FDS2170N7

onsemi

FDS2170N7

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC

Устаревший8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs128mOhm @ 3A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1292 pF @ 100 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияPowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность3W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Корпус производителя8-SO FLMP

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)