FDR8508P

onsemi

FDR8508P

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2P-CH 30V 3A SUPERSOT 8

Устаревший8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs52mOhm @ 3A, 10V
Базовый Part NumberFDR85
Конфигурация2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds750pF @ 15V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияPowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A
Power - Max800mW

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
Корпус производителяSuperSOT™-8

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)