FDR6580

onsemi

FDR6580

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 20V 11.2A SUPERSOT8

Устаревший8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs9mOhm @ 11.2A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3829 pF @ 10 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияPowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11.2A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность1.8W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
Корпус производителяSuperSOT™-8

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)