FDPF4D5N10C

onsemi

FDPF4D5N10C

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 100V 128A TO220F

В производствеTO-220-3 Full PackАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.5mOhm @ 100A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5065 pF @ 50 V
Производительonsemi
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
СерияPowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 310µA

Электрические

Напряжение сток-исток100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C128A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность2.4W (Ta), 37.5W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
Корпус производителяTO-220F-3

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)