FDP8030L

onsemi

FDP8030L

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3

УстаревшийTO-220-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.5mOhm @ 80A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs170 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds10500 pF @ 15 V
Производительonsemi
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusObsolete
СерияPowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C80A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность187W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-220-3
Корпус производителяTO-220-3

Среда

Рабочая температура-65°C ~ 175°C (TJ)