FDP2D9N12C

onsemi

FDP2D9N12C

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

PTNG 120V N-FET TO220

УстаревшийTO-220-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.9mOhm @ 100A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds8894 pF @ 60 V
Производительonsemi
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusObsolete
СерияPowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 686µA

Электрические

Напряжение сток-исток120 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C18A (Ta), 210A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность2.4W (Ta), 333W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-220-3
Корпус производителяTO-220

Среда

Рабочая температура-55°C~175°C(TJ)