FDP2614

onsemi

FDP2614

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 200V 62A TO220-3

В производствеTO-220-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs27mOhm @ 31A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7230 pF @ 25 V
Производительonsemi
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
СерияPowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C62A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность260W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-220-3
Корпус производителяTO-220-3

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)