FDN86265P

onsemi

FDN86265P

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 150V 800MA SUPERSOT3

В производствеTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.2Ohm @ 800mA, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds210 pF @ 75 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияPowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C800mA (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность1.5W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус производителяSOT-23-3

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)