FDN5630-B8

onsemi

FDN5630-B8

Аналоговые и силовые компоненты

FET 60V 1.0 MOHM SSOT3

УстаревшийTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 1.7A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds560 pF @ 15 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияPowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.7A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность500mW (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус производителяSOT-23-3

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)