FDN306P

onsemi

FDN306P

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3

В производствеTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 2.6A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1138 pF @ 6 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияPowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.6A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность500mW (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус производителяSOT-23-3

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)