FDMS86350

onsemi

FDMS86350

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 80V 25A/130A POWER56

В производстве8-PowerTDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.4mOhm @ 25A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds10680 pF @ 40 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииВ производстве
СерияPowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)8V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C25A (Ta), 130A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность2.7W (Ta), 156W (Tc)

Механические

Package / Case8-PowerTDFN
Корпус производителя8-PQFN (5x6)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)