FDMS8560S

onsemi

FDMS8560S

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 25V 30A/70A 8PQFN

Устаревший8-PowerTDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.8mOhm @ 30A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4350 pF @ 13 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияPowerTrench®, SyncFET™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Ta), 70A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность2.5W (Ta), 65W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
Корпус производителя8-PQFN (5x6)

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)