FDMS3660AS

onsemi

FDMS3660AS

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A POWER56

Устаревший8-PowerTDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs8mOhm @ 13A, 10V
Базовый Part NumberFDMS3660
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2230pF @ 15V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияPowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.7V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13A, 30A
Power - Max1W

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
Корпус производителяPower56

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)