FDMS1D4N03S

onsemi

FDMS1D4N03S

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 30V 211A 8PQFN

Устаревший8-PowerTDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.09mOhm @ 38A, 10V
FET FeatureSchottky Diode (Body)
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs65 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds10250 pF @ 15 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияPowerTrench®, SyncFET™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±16V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C211A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность74W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerTDFN
Корпус производителя8-PQFN (5x6)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)