FDMS015N04B

onsemi

FDMS015N04B

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 40V 31.3A/100A 8PQFN

В производстве8-PowerTDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds8725 pF @ 20 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияPowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C31.3A (Ta), 100A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность2.5W (Ta), 104W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerTDFN
Корпус производителя8-PQFN (5x6)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)