FDMQ86530L

onsemi

FDMQ86530L

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 4N-CH 60V 8A 12MLP

В производстве12-WDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs17.5mOhm @ 8A, 10V
Базовый Part NumberFDMQ86530
Конфигурация4 N-Channel (Full Bridge)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs33nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2295pF @ 30V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияGreenBridge™ PowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A
Power - Max1.9W

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case12-WDFN Exposed Pad
Корпус производителя12-MLP (5x4.5)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)