FDMJ1032C

onsemi

FDMJ1032C

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N/P-CH 20V 3.2A/2.5A SC75

Устаревший6-WFDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs90mOhm @ 3.2A, 4.5V
Базовый Part NumberFDMJ1032
КонфигурацияN and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds270pF @ 10V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияPowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.2A, 2.5A
Power - Max800mW

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case6-WFDFN Exposed Pad
Корпус производителяSC-75, MicroFET

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)