FDME1023PZT

onsemi

FDME1023PZT

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2P-CH 20V 2.6A 6MICROFET

В производстве6-UFDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs142mOhm @ 2.3A, 4.5V
Базовый Part NumberFDME1023
Конфигурация2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.7nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds405pF @ 10V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияPowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.6A
Power - Max600mW

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-UFDFN Exposed Pad
Корпус производителя6-MicroFET (1.6x1.6)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)