FDMD86100

onsemi

FDMD86100

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 100V 10A 8PWR 5X6

В производстве8-PowerWDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs10.5mOhm @ 10A, 10V
Базовый Part NumberFDMD86
Конфигурация2 N-Channel (Dual) Common Source
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2060pF @ 50V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияPowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A
Power - Max2.2W

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerWDFN
Корпус производителя8-Power 5x6

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)