FDMD8560L

onsemi

FDMD8560L

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 60V 22A 8PWR 5X6

Устаревший8-PowerWDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.2mOhm @ 22A, 10V
Базовый Part NumberFDMD8560
Конфигурация2 N-Channel (Half Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs128nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds11130pF @ 30V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияPowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C22A, 93A
Power - Max2.2W

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerWDFN
Корпус производителя8-Power 5x6

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)