FDMD8530

onsemi

FDMD8530

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 30V 35A POWER56

Устаревший8-PowerWDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.25mOhm @ 35A, 10V
Базовый Part NumberFDMD85
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs149nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds10395pF @ 15V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияPowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C35A
Power - Max2.2W

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerWDFN
Корпус производителяPower56

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)