FDMD82100

onsemi

FDMD82100

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 100V 7A 12POWER

Устаревший12-PowerWDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs19mOhm @ 7A, 10V
Базовый Part NumberFDMD82
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1070pF @ 50V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияPowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7A
Power - Max1W

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case12-PowerWDFN
Корпус производителя12-Power3.3x5

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)