FDMC86320

onsemi

FDMC86320

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 80V 10.7A/22A 8MLP

В производстве8-PowerWDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs11.7mOhm @ 10.7A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2640 pF @ 40 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияPowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)8V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10.7A (Ta), 22A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность2.3W (Ta), 40W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerWDFN
Корпус производителя8-MLP (3.3x3.3)

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)