FDMC86259P

onsemi

FDMC86259P

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 150V 3.2A/13A PWR33

В производстве8-PowerWDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs107mOhm @ 3A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2045 pF @ 75 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияPowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.2A (Ta), 13A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность2.3W (Ta), 62W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerWDFN
Корпус производителяPower33

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)