FDMC86184

onsemi

FDMC86184

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 100V 57A 8PQFN

В производстве8-PowerWDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs8.5mOhm @ 21A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2090 pF @ 50 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияPowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 110µA

Электрические

Напряжение сток-исток100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C57A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность54W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerWDFN
Корпус производителя8-PQFN (3.3x3.3)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)