FDMC6890NZ

onsemi

FDMC6890NZ

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 20V 4A MICROFET 3X3

Снят с производства6-WDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs68mOhm @ 4A, 4.5V
Базовый Part NumberFDMC6890
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds270pF @ 10V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusLast Time Buy
СерияPowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A
Power - Max1.92W, 1.78W

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-WDFN Exposed Pad
Корпус производителяMicroFET 3x3mm

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)