FDMC6686P

onsemi

FDMC6686P

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 20V 18A/56A 8PQFN

Устаревший8-PowerWDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs4mOhm @ 18A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs122 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds13200 pF @ 10 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияPowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C18A (Ta), 56A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность2.3W (Ta), 40W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerWDFN
Корпус производителя8-PQFN (3.3x3.3), Power33

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)