FDMC5614P

onsemi

FDMC5614P

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 60V 5.7A/13.5A 8MLP

Устаревший8-PowerWDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 5.7A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1055 pF @ 30 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияPowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.7A (Ta), 13.5A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность2.1W (Ta), 42W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerWDFN
Корпус производителя8-MLP (3.3x3.3)

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)