FDMC008N08C

onsemi

FDMC008N08C

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CHANNEL 80V 60A 8PQFN

В производстве8-PowerWDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.8mOhm @ 21A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2150 pF @ 40 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияPowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 120µA

Электрические

Напряжение сток-исток80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C60A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность57W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerWDFN
Корпус производителя8-PQFN (3.3x3.3), Power33

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)