FDMA510PZ

onsemi

FDMA510PZ

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET

В производстве6-WDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 7.8A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1480 pF @ 10 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияPowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7.8A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность2.4W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-WDFN Exposed Pad
Корпус производителя6-MicroFET (2x2)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)