FDMA291P

onsemi

FDMA291P

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 20V 6.6A 6MICROFET

В производстве6-WDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs42mOhm @ 6.6A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1000 pF @ 10 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияPowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.6A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность2.4W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case6-WDFN Exposed Pad
Корпус производителя6-MicroFET (2x2)

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)