FDMA2002NZ

onsemi

FDMA2002NZ

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6MICROFET

В производстве6-VDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs123mOhm @ 2.9A, 4.5V
Базовый Part NumberFDMA2002
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds220pF @ 15V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияPowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.9A
Power - Max650mW

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-VDFN Exposed Pad
Корпус производителя6-MicroFET (2x2)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)