FDMA1025P

onsemi

FDMA1025P

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2P-CH 20V 3.1A 6MICROFET

Устаревший6-VDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs155mOhm @ 3.1A, 4.5V
Базовый Part NumberFDMA1025
Конфигурация2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds450pF @ 10V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияPowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.1A
Power - Max700mW

Механические

КорпусCut Tape (CT)
Package / Case6-VDFN Exposed Pad
Корпус производителя6-MicroFET (2x2)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)