FDM3622

onsemi

FDM3622

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP

В производстве8-PowerWDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs60mOhm @ 4.4A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1090 pF @ 25 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияPowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.4A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность2.1W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerWDFN
Корпус производителя8-MLP (3.3x3.3)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)