FDG6322C

onsemi

FDG6322C

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SC88

В производстве6-TSSOP, SC-88, SOT-363Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs4Ohm @ 220mA, 4.5V
Базовый Part NumberFDG6322
КонфигурацияN and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds9.5pF @ 10V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C220mA, 410mA
Power - Max300mW

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Корпус производителяSC-88 (SC-70-6)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)