FDG6316P

onsemi

FDG6316P

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2P-CH 12V 0.7A SC88

Снят с производства6-TSSOP, SC-88, SOT-363Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs270mOhm @ 700mA, 4.5V
Базовый Part NumberFDG6316
Конфигурация2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds146pF @ 6V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusLast Time Buy
СерияPowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C700mA
Power - Max300mW

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Корпус производителяSC-88 (SC-70-6)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)