FDFMA3N109

onsemi

FDFMA3N109

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 30V 2.9A 6MICROFET

Устаревший6-VDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs123mOhm @ 2.9A, 4.5V
FET FeatureSchottky Diode (Isolated)
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds220 pF @ 15 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияPowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.9A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность1.5W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case6-VDFN Exposed Pad
Корпус производителя6-MicroFET (2x2)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)