FDD86540

onsemi

FDD86540

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 60V 21.5A/50A DPAK

В производствеTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.1mOhm @ 21.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6340 pF @ 30 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияPowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)8V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C21.5A (Ta), 50A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность3.1W (Ta), 127W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус производителяTO-252AA

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)