FDD8580

onsemi

FDD8580

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 20V 35A DPAK

УстаревшийTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs9mOhm @ 35A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1445 pF @ 10 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияPowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C35A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность49.5W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус производителяTO-252AA

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)