FDD6685

onsemi

FDD6685

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 30V 11A/40A TO252

В производствеTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 11A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1715 pF @ 15 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияPowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A (Ta), 40A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность52W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус производителяTO-252AA

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)