FDD6512A

onsemi

FDD6512A

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 20V 10.7A/36A DPAK

УстаревшийTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs21mOhm @ 10.7A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1082 pF @ 10 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияPowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10.7A (Ta), 36A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность3.8W (Ta), 43W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус производителяTO-252AA

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)