FDD306P

onsemi

FDD306P

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 12V 6.7A TO252

В производствеTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs28mOhm @ 6.7A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1290 pF @ 6 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияPowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.7A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность52W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус производителяTO-252AA

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)