FDD1600N10ALZ

onsemi

FDD1600N10ALZ

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252

В производствеTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs160mOhm @ 3.4A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds225 pF @ 50 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияPowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.8V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.8A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность14.9W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус производителяTO-252AA

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)