FDC658AP

onsemi

FDC658AP

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6

В производствеSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 4A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds470 pF @ 15 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияPowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность1.6W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Корпус производителяSuperSOT™-6

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)