FDC637AN

onsemi

FDC637AN

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6

В производствеSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs24mOhm @ 6.2A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1125 pF @ 10 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияPowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.2A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность1.6W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Корпус производителяSuperSOT™-6

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)