FDC636P

onsemi

FDC636P

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 20V 2.8A SUPERSOT6

УстаревшийSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs130mOhm @ 2.8A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds390 pF @ 10 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.8A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность1.6W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Корпус производителяSuperSOT™-6

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)