FDC6321C

onsemi

FDC6321C

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N/P-CH 25V 0.68A SSOT6

В производствеSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs450mOhm @ 500mA, 4.5V
Базовый Part NumberFDC6321
КонфигурацияN and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.3nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds50pF @ 10V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C680mA, 460mA
Power - Max700mW

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Корпус производителяSuperSOT™-6

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)