FDBL0260N100

onsemi

FDBL0260N100

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 100V 200A 8HPSOF

В производстве8-PowerSFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.6mOhm @ 80A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds9265 pF @ 50 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияPowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C200A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность3.5W (Ta), 250W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerSFN
Корпус производителя8-HPSOF

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)